インテルの発表によれば、今回開発されたNAND型フラッシュメモリは20nmプロセスで製造されており、東芝などが生産を始めている19nmプロセスに対抗する形となる。 今月より20nmプロセスの64GBフラッシュメモリの量産を開始し、2012年１月に128GBのサンプル出荷、2012年前半には量産体制に入る予定としている。 この128GBNAND型フラッシュメモリーは、非常に高い転送速度である333MT/sを満たすONFI3.0規格に準拠しており、スマートフォンなどのスリム化や費用対効果の向上に大きく貢献するとのこと。 予定通りなら、早ければ来年中にも128GBの外部ストレージを持ったスマートフォンが登場しそうだ。
Intel, Micron Extend NAND Flash Technology Leadership with Introduction of World’s First 128Gb NAND Device and Mass Production of 64Gb 20nm NAND（英語）
